Какие есть соответствующие знания о умных водосчётчиках с интегральными микросхемами?

Обычно, когда температура ниже 0 ℃, умный водяной счётчик с интегральной микросхемой увеличивается с ростом температуры окружающей среды; однако при температуре выше 0 ℃ значение β уменьшается по мере повышения температуры окружающей среды. Изоляционное сопротивление между входом и выходом.

Умные водосчётчики с интегральными микросхемами часто используются для изоляции в электронных схемах и поэтому также известны как оптические изоляторы. Очевидно, что важным показателем является сопротивление изоляции между светоизлучающей и фоточувствительной цепями. Как правило, это сопротивление изоляции находится в диапазоне от 10⁰ до 100⁰. Умные водосчётчики с интегральными микросхемами обладают гораздо более высоким сопротивлением между первичной и вторичной сторонами обычных трансформаторов малой мощности, поэтому их изоляционный эффект лучше. Кроме того, оптопары имеют меньший размер, меньшие потери, более широкий частотный диапазон и не подвержены внешним помехам от переменного магнитного поля по сравнению с трансформаторами.

Напряжение устойчивости между входом и выходом. В обычных электронных схемах высокого напряжения нет, однако в особых случаях требуется обеспечить устойчивость к высокому напряжению между цепями входа и выхода. Это требует увеличения расстояния между светоизлучающим элементом и фоточувствительным элементом, однако часто это приводит к снижению коэффициента передачи тока β.

После дополнительной структуры экрана камера переменного тока может измерять асимметричные (общий режим) помехи переменного тока или соответствующие точечные (дифференциальный режим) помехи переменного тока.

Токовый датчик карты в умном интеллектуальном водяном счётчике может измерять асимметричную переменный ток всех каналов. Диапазон частот для камер переменного тока может достигать 30 Гц ~ 100 МГц, что позволяет проводить измерения помех в сложных системах линий передачи, электронных схемах и т.п., не вызывая при этом повреждений или проблем с размещением компонентов.

Когда умный водомер с интеллектуальной микросхемой для карты измеряет постоянную переменную мощность базовой электрической системы на частоте около 100 МГц, переменнокамеру следует размещать в месте с высокой величиной переменной мощности. Переменная камера должна иметь равномерную частотную характеристику в полосе пропускания. Точные измерения по-прежнему можно проводить в диапазоне частот ниже полосы пропускания — просто потому, что снижение разности потенциалов передачи уменьшает чувствительность. Что касается умных водомеров с интеллектуальной микросхемой для карты, работающих выше полосы пропускания, резонанс, вызванный переменной камерой, приведёт к неточным измерениям.

Умные водосчётчики с интегральной микросхемой обычно делятся на три категории: внешний фотоэлектрический эффект, внутренний фотоэлектрический эффект и фотоэлектрический эффект. На основе этих фотоэлектрических эффектов можно создавать различные устройства фотоэлектрического преобразования (фотоэлементы), такие как фототрубки, фотоумножители, фоторезисторы, фототранзисторы и фотоэлементы. Явление, при котором свет умного водосчётчика с интегральной микросхемой падает на объект, вызывая выбивание электронов с поверхности этих объектов, называется внешним фотоэлектрическим эффектом, также известным как фотоэлектрическая эмиссия.

Электроны, которые вырываются, называются фотоэлектронами. Внешний фотоэлектрический эффект можно описать уравнением Эйнштейна для фотоэффекта, где m — масса электрона в умной интегральной схеме водяного счётчика; O — начальная скорость, с которой электроны покидают поверхность объекта; H — постоянная Планка, h = 6,626 × 10⁻³⁴ Дж·с; ν — частота падающего света; A — работа выхода объекта. Согласно гипотезе Эйнштейна, энергия фотона может передать энергию только одному электрону. Таким образом, один фотон передаёт всю свою энергию свободному электрону в объекте, увеличивая энергию этого свободного электрона. Часть этой энергии расходуется на преодоление работы выхода A, а другая часть используется в качестве начальной кинетической энергии электрона при его вырывании, которая равна mo²/2.

Материалы, из которых состоит фотоэлемент умного водомера с интегральной схемой, включают полупроводниковые материалы, такие как сульфиды и селениды металлов, а также соединения суи. Проводимость полупроводника зависит от количества носителей заряда внутри него. Когда фоточувствительный резистор умного водомера с интегральной схемой подвергается воздействию света, если энергия фотона hν превышает ширину запрещённой зоны полупроводникового материала, электроны в валентной зоне поглощают энергию одного фотона и переходят в проводящую зону, образуя пару электрон-дырка и снижая удельное сопротивление.